В секторе работают 5 сотрудников, среди них 2 доктора физ.-мат. наук и 3 кандидата физ.-мат. наук, один сотрудник является членом ООФА РАН - академик Л.В.Келдыш. Также в секторе проходили обучение 3 аспиранта. Опубликовано или направлено в печать 5 научных работ, сотрудники приняли участие в 1 международной конференции и 1 российской школе-семинаре.   Тематика исследований в 2000 г.: влияние электрического и магнитного полей, взаимного расположения энергетических зон и геометрии узкощелевых полупроводниковых гетероструктур на их электронные, оптические и транспортные свойства; многочастичные явления в системах с сильным взаимодействием, в том числе, возникновение макроскопических когерентных состояний, как в равновесном состоянии, так и в состояниях, далеких от термодинамического равновесия; теоретическое изучение туннельных свойств слоистых джозефсоновских контактов; кинетика в неоднородных сверхпроводниках и сверхпроводящих туннельных структурах Основные научные результаты, полученные в 2000 г.: Рассмотрена задача о распространении излучения в среде разупорядоченных двухуровневых атомов. Развитая теория учитывает конечное время жизни возбужденного атома, связанное со спонтанным излучением фотона. Расчитан коэффициент диффузии в случае многократного рассеяния фотона на одном атоме, что соответствует резонансному взаимодействию света с двухуровневой системой. Развита микроскопическая теория, рассматривающая процессы туннелирования в микроконтактах и наноструктурах, учитывающая эффекты, связанные с особенностями электронного спектра, электронной плотности и конечными временами релаксации в области контакта. Предложен самосогласованный теоретический метод расчета туннелирования в микроконтактах и наноструктурах в присутствии двух взаимодействующих андерсоновских примесей на поверхности полупроводника. Неравновесные числа заполнения на примесях с учетом среднеполевого кулоновского взаимодействия электронов расчитаны решением системы кинетических уравнений в рамках диаграммной техники для неравновесных процессов. (П.И.Арсеев) Предложена новая модель "DX-подобных" примесных центров в PbTe(Ga), объясняющая стабилизацию уровня Ферми и эффекты долговременной релаксации в полупроводниках A4-B6, допированных элементами III группы. Долговременная релаксация объяснена возникновением эффективного барьера, связанного с переменной валентности примесей. Разработанная модель применима к описанию DX центров в классических полупроводниках типа A3-B5. (Б.А.Волков) В двузонном приближении исследован энергетический спектр узкощелевых квантовых точек. Рассчитана симметрийная структура спектров и зависимость энергии электронов и дырок от параметров квантовой точки. Симметрия рассчитанных уровней совпадает с экспериментально наблюдаемой. Рассмотрены различные типы узкощелевых полупроводниковых гетероструктур. Исследовано условие спинового расщепления энергетических уровней. Численно рассчитан энергетический спектр электронов и дырок. (А.П.Силин) В рамках изучения особенностей рассеяния света в резонансной неупорядоченной среде продолжено построение микроскопической теории интерференционных явлений при распространинии фотонов и электронов в системах квантовых точек. Теория позволяет описывать новый круг вопросов, связанных с учетом нелинейных квантовых эффектов в процессах рассеяния электромагнитных волн на неупорядоченно расположенных лвухуровневых квантовых точках с инверсной заселенностью. В диаграмной технике для неравновесных процессов построена система кинетических уравнений для сверхпроводника в сильно неравновесном случае, когда невозможно введение понятия температуры и химического потенциала. Подход позволяет в калибровочно инвариантном виде описывать нестационарные кинетические процессы в сверхпроводящих гетероструктурах. В рамках микроскопической теории для неравновесных процессов в терминах диаграммной техники Келдыша построена система нелинейных уравнений, описывающая тунельные свойства S-I-S слоистых сверхпроводящих структур. Построенная теория учитывает нестационарное поведение электрического заряда внутри слоев, связанное с неравновесной динамикой фазы сверхпроводящего параметра порядка и взаимодействием различных слоев. (Н.К.Федоров) Проекты, выполнявшиеся в 2000 году: 1. РФФИ №99-02-17360 "Кинетика в неоднородных сверхпроводниках и сверхпроводящих туннельных структурах". Руководитель: П.И.Арсеев; 2. РФФИ №99-02-16449 "Теория слабой локализации возбуждений в системе квантовых точек в условиях термодинамического равновесия и в сильно неравновесном случае". Руководитель: Б.А.Волков; 3. РФФИ №00-02-17529 "Влияние электрического и магнитного полей, взаимного расположения энергетических зон и геометрии узкощелевых полупроводниковых гетероструктур на их электронные, оптические и транспортные свойства". Руководитель: А.П.Силин; 4. РФФИ №96-15-96476. Руководитель: Л.В.Келдыш (проект поддержки научных школ) 5. INTAS N96-0398 "Linear and nonlinear optical effects in semiconductor microcavities and photonic dots". (A.Forchel, R.Planel, R. Hondre, Л.В.Келдыш, В.Д.Куликовский, С.Г.Тиходеев) 6. INTAS N94-3562 "Superconductivity on mesoscopic scale". (Y.Bruynseraede) 7. Миннауки РФ N96-081 "Электромагнитные свойства полупроводниковых гетероструктур как элементов электронных и оптоэлектронных устройств". (Б.А.Волков)   Список литературы, опубликованной и принятой в печать в иностранных журналах в 2000 году: Andryushin E.A., Silin A.P., Vereshchagin S.A. "Interface states in a narrow-gap semiconductor structure without band inversion", Phys.Low-Dim. Structures, 3/4, 79, 2000; Andryushin E.A., Silin A.P., Vereshchagin S.A. "Spin splitting of energy levels in asymmetric narrow-gap semiconductor nanostructures", Phys.Low-Dim. Structures, 3/4, 85, 2000; Список литературы, опубликованной и принятой в печать в российских журналах в 2000 году: Апенко С.М., Арсеев П.И., Федоров Н.К. "К вопросу о диффузии и локализации излучения в неупорядоченной резонансной среде", Краткие Сообщения по Физике ФИАН, 4, 25, 2000; А.И.Белогорохов, Б.А.Волков, И.И.Иванчик, Д.Р.Хохлов "Модель "DX - подобных" примесных центров в PbTe(Ga)", Письма в ЖЭТФ, т.72, в. 3-4, 178-182, 2000; Arseyev P.I., Maslova N.S., Panov V.I., Savinov S.V. "Tunneling spectroscopy of nonequilibrium correlated impurity states on semiconductor surface", Письма в ЖЭТФ, т.72, в. 11, 819-824, 2000;