В секторе работают 5 сотрудников, среди них 2 доктора физ.-мат. наук и
3 кандидата физ.-мат. наук, один сотрудник является членом ООФА РАН - академик
Л.В.Келдыш.
Также в секторе проходили обучение 2 аспиранта.
Опубликовано или направлено в печать 4 научных работы,
сотрудники приняли участие в 1 международной конференции.
|
 |
Тематика исследований в 2001 г.:
|
- влияние электрического и магнитного полей, взаимного расположения
энергетических зон и геометрии узкощелевых полупроводниковых гетероструктур
на их электронные, оптические и транспортные свойства;
- многочастичные явления в системах с сильным взаимодействием, в том числе,
возникновение макроскопических когерентных состояний, как в равновесном
состоянии, так и в состояниях, далеких от термодинамического равновесия;
- кинетика в неоднородных сверхпроводниках и сверхпроводящих туннельных структурах
|
|
Основные научные результаты, полученные в 2001 г.:
|
- Развита микроскопическая теория, рассматривающая процессы
туннелирования в микроконтактах и наноструктурах,
учитывающая эффекты, связанные с особенностями
электронного спектра, электронной плотности и конечными
временами релаксации в области контакта.
Развит самосогласованный теоретический метод расчета
туннелирования в микроконтактах и наноструктурах
в присутствии двух взаимодействующих Андерсоновских
примесей на поверхности полупроводника.
Неравновесные числа заполнения на примесях с учетом
среднеполевого кулоновского взаимодействия электронов
расчитаны решением системы кинетических уравнений
в рамках диаграммной техники для неравновесных процессов.
Расчитаны вольт-амперные характеристики SIS-контактов
в многозонной модели с анизотропным эффективным параметра порядка.
Объяснены экспериментально наблюдаемые особенности
вольт-амперных характеристик SIN и SIS контактов сверхпроводников
типа BSCCO. (П.И.Арсеев)
- Продолжено развитие модели "DX - подобных" примесных центров в
узкощелевых полупроводниках на основе теллурида свинца,
объясняющей эффекты долговременной
релаксации в полупроводниках A4-B6, допированных элементами III группы.
Долговременная релаксация объяснена возникновением эффективного барьера,
связанного с переменной валентности примесей. Разработанная
модель применима к описанию DX центров в классических
полупроводниках типа A3-B5. (Б.А.Волков)
- Для описания спинового расщепления асимметричных
узкощелевых полупроводниковых гетероструктур в
перпендикулярном магнитном поле получены уравнения,
определяющие энергетический спектр носителей тока.
Показано, что основное состояние системы не
обязательно соответствует нулевому уровню Ландау.
Энергетические уровни в общем случае не вырождены, но
основное состояние может быть вырожденным в зависимости от
величины магнитного поля. (А.П.Силин)
- В рамках многозонной модели с анизотропным эффективным параметра порядка ВТСП
расчитаны вольт-амперные характеристики SIS-контактов. Результаты
вычислений показывают, что вид ВАХ и плотности электронных состояний
сильно меняется в зависимости от параметров задачи.
Предложено теоретическое объяснение экспериментально наблюдаемого
s-подобного поведения ВАХ SIN и SIS контактов
высокотемпературных сверхпроводников типа BSCCO. Исследована зависимость
асимметрии сверхпроводящих пиков от взаимного расположения зон. (Н.К.Федоров)
|
|
Проекты, выполнявшиеся в 2001 году:
1. РФФИ №99-02-17360
"Кинетика в неоднородных сверхпроводниках и сверхпроводящих туннельных структурах".
Руководитель: П.И.Арсеев;
2. РФФИ №99-02-16449
"Теория слабой локализации возбуждений в системе квантовых точек в условиях
термодинамического равновесия и в сильно неравновесном случае".
Руководитель: Б.А.Волков;
3. РФФИ №00-02-17529
"Влияние электрического и магнитного полей, взаимного расположения
энергетических зон и геометрии узкощелевых полупроводниковых гетероструктур
на их электронные, оптические и транспортные свойства".
Руководитель: А.П.Силин;
4. РФФИ №00-15-96558
Руководитель: Л.В.Келдыш
(проект поддержки научных школ)
5. Миннауки РФ №96-081
"Электромагнитные свойства полупроводниковых гетероструктур
как элементов электронных и оптоэлектронных устройств".
(Б.А.Волков)
6. Миннауки РФ №96-1105
|
|
Преподавание:
А.П.Силин - "Теория твердого тела" - курс лекций студентам МФТИ,
П.И.Арсеев - "Макроскопические квантовые явления" - курс лекций студентам МГУ
|
|
Список литературы, опубликованной и принятой в печать
в иностранных журналах в 2001 году:
- Vereshchagin S.A., Silin A.P.
"Unusual magnetic ground state in asymmetric narrow-gap
semiconductor heterostructures with spin splitting of energy spectrum",
Phys.Low-Dim.Struct. (в печати);
|
|
Список литературы, опубликованной и принятой в печать
в российских журналах в 2001 году:
- С.О.Лойко, Н.К.Федоров, П.И.Арсеев
"Влияние симметрии электронных состояний ВТСП на вольт-амперные
характеристики SIS контактов",
ЖЭТФ (в печати);
- Б.А.Волков, Л.И.Рябова, Д.Р.Хохлов
"Примеси с переменной валентностью в твердых растворах на
основе теллурида свинца",
УФН (в печати);
- P.I.Arseyev, N.S.Maslova, V.I.Panov, S.V.Savinov.
"Non-equlibrium tunneling effects of interacting Hubbard-Anderson
impurities", ЖЭТФ, т.121, 225, 2002
|
|
