- выдающийся физик-теоретик, академик АН СССР (1976) и РАН (1991), член Национальной академии наук США и
Американского физического общества, Почетный Рентгеновский профессор Вюрцбургского Университета.
Л.В.Келдыш - лауреат многих наград и премий: премии им. М.В.Ломоносова АН СССР (1964), Ленинской премии (1974),
премии Хьюлетт-Паккард Европейского Физического Общества (1975), премии им. Александра Гумбольдта (1994),
премии "Триумф" (2001), премии Президента Российской Федерации в области образования (2003), международной премии
в области нанотехнологий RUSNANOPRIZE-2009, премии им.И.Я.Померанчука (2014).
Награжден Золотой медалью им. С.И.Вавилова (2005) и Большой золотой медалью им.М.В.Ломоносова — высшей наградой
Российской академии наук (2015).
Награжден Орденом Трудового Красного Знамени (1975) и Орденом Октябрьской Революции (1985).
После окончания МГУ в 1954 году он поступил в аспирантуру ФИАН, где его научным руководителем стал В.Л.Гинзбург.
С тех пор вся жизнь Л.В.Келдыша была неразрывно связана с Отделом теоретической физики ФИАН. В 1989-1993 годах
Л.В.Келдыш возглавлял ФИАН, а в 1991-1996 годах был академиком-секретарем Отделения общей физики и астрономии РАН.
Педагогическая деятельность Л.В.Келдыша началась в 1962 году, когда он стал профессором Московского
физико-технического института, в 1965-м он стал профессором МГУ, более 20 лет возглавлял Кафедру квантовой радиофизики
Физического факультета МГУ. Его блистательный курс "Взаимодействие электромагнитного излучения с веществом"
был издан в виде учебника.
Л.В.Келдыш подготовил более 20 кандидатов и более 10 докторов наук. Среди его учеников - известные учёные,
заслужившие академические звания и награды.
Леонид Вениаминович Келдыш - выдающийся специалист в области физики твёрдого тела, ему принадлежит целый ряд
оригинальных идей, оказавших влияние на развитие различных областей физики: взаимодействие сильного электромагнитного
излучения с атомами и твердыми телами, фазовые переходы в электрон-дырочных системах, методы описания неравновесных систем и др.
Л.В.Келдыш построил теорию туннельных явлений в полупроводниках, впервые предсказал так называемый непрямой туннельный эффект,
а также эффект сдвига края поглощения в полупроводниковых кристаллах под влиянием электрического поля, который теперь носит
его имя — эффект Франца–Келдыша.
В середине 60-х годов Л.В.Келдыш впервые указал на возможность модулирования электронных свойств полупроводника ультразвуком,
по сути, это была модель сверхрешетки, без которой немыслима современная физика твердого тела.
Л.В.Келдыш показал, что два известных явления - туннельный эффект и фотоэффект являются двумя предельными случаями
более общего процесса. Эта теория стала основой современного понимания взаимодействия мощного лазерного излучения с атомами,
молекулами и твердыми телами.
В 1967 году Л.В.Келдышем было высказано предположение, что в сильно возбужденных полупроводниках образуется
электронно-дырочная жидкость, которая позднее была обнаружена и детально изучена экспериментально.
Для теоретического описания состояний и кинетики сильно неравновесных квантовых систем Л.В.Келдыш разработал специальную
диаграммную технику, которая носит его имя и широко применяется в разных областях теоретической физики.
|
